机译:生产缺陷SiGE纳米纳米制造的新策略
机译:SiGe源极和漏极的45 nm p型金属氧化物半导体场效应晶体管中SiGe的窄宽和长度依赖性以及黄道孤立应力引起的缺陷
机译:通过表面缺陷工程提高拉伸应变的Si和SiGe纳米线的载流子迁移率
机译:单晶弹性松弛SiGe纳米膜:外延生长无缺陷应变Si / SiGe异质结构的基底。
机译:在异质结双极晶体管的应变硅锗纳米层中研究碳分布,以增强硼的含量并改善载流子的传输。
机译:皮瓣失败后复杂头皮缺陷的重建:变化的计划和策略
机译:通过应变转移在SiGe上产生高应变硅
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。