机译:TiTe / Al 2 O 3导电桥存储器中电阻率变化的化学
机译:镝和抑制金属缓冲层对基于Cu-Sn合金导电桥随机存取存储器的电阻切换特性的影响
机译:SiO_2 / Cu导电桥电阻存储堆栈中的光学复位调制
机译:用于预测导电桥电阻式随机存取存储器(CBRAM)中形成/转换时间的分析模型
机译:用于高k电介质和存储器应用的原子层沉积Al2O3和TiO2
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:电阻率的化学变化塔塔/ Al2O3导电桥记忆