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机译:镝和抑制金属缓冲层对基于Cu-Sn合金导电桥随机存取存储器的电阻切换特性的影响
Korea Adv Inst Sci &
Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
Korea Univ Dept Appl Phys 2511 Sejongro Sejong 339700 South Korea;
Korea Adv Inst Sci &
Technol Sch Elect Engn Daejeon 34141 South Korea;
CBRAM; C-AFM; resistive switching;
机译:镝和抑制金属缓冲层对基于Cu-Sn合金导电桥随机存取存储器的电阻切换特性的影响
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机译:f金属层对基于HfOX的电阻式随机存取存储器开关特性的影响
机译:电阻切换随机存取存储器(RRAM):对实际应用的分析,建模和表征
机译:HfO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:HFO2 / TiOx双层电阻随机存取存储器中的低功率电阻切换特性
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。