缓冲层(LaCuO<,4>)对La<,1.9>Sr<,0.1>CuO<,0.4>薄膜结构和电阻特性的影响

摘要

利用磁控溅射方法，作者以不同厚度的(LaCuO<,4>)作为缓冲层，在SrTiO<,3>(STO) 基底上外延生长了相同厚度的La<,1.9>Sr<,0.1>CuO<,0.4>薄膜。X光衍射分析结果表明，薄膜样品呈C轴取向生长并具有很好的外延结构。随着温缓冲层厚度的增加薄膜的C轴晶格常数增大。利用四引线方法，作者在DC-SOUID上测量了薄膜的电阻特性。结果表明：在低温区，缓冲层越厚，电阻越小。在缓冲层最厚的样品，薄膜的低温电阻可以用变程跃进模型拟合，而在高温区电阻和温度成线性关系。