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Application of phase-change materials in memory taxonomy

机译:相变材料在记忆分类学中的应用

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摘要

Phase-change materials are suitable for data storage because they exhibit reversible transitions between crystalline and amorphous states that have distinguishable electrical and optical properties. Consequently, these materials find applications in diverse memory devices ranging from conventional optical discs to emerging nanophotonic devices. Current research efforts are mostly devoted to phase-change random access memory, whereas the applications of phase-change materials in other types of memory devices are rarely reported. Here we review the physical principles of phase-change materials and devices aiming to help researchers understand the concept of phase-change memory. We classify phase-change memory devices into phase-change optical disc, phase-change scanning probe memory, phase-change random access memory, and phase-change nanophotonic device, according to their locations in memory hierarchy. For each device type we discuss the physical principles in conjunction with merits and weakness for data storage applications. We also outline state-of-the-art technologies and future prospects.
机译:相变材料适用于数据存储,因为它们在晶态和非晶态之间表现出可逆的转变,具有可分辨的电和光学特性。因此,这些材料在从传统光盘到新兴的纳米光子器件的各种存储器件中找到了应用。当前的研究工作主要致力于相变随机存取存储器,而相变材料在其他类型的存储设备中的应用却鲜有报道。在这里,我们回顾了相变材料和设备的物理原理,旨在帮助研究人员理解相变存储器的概念。根据它们在存储器层次结构中的位置,我们将相变存储设备分为相变光盘,相变扫描探针存储器,相变随机存取存储器和相变纳米光子器件。对于每种设备类型,我们都会讨论物理原理以及数据存储应用程序的优缺点。我们还将概述最先进的技术和未来前景。

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