面向5G毫米波通信的砷化镓低噪声放大器设计

摘要

基于0.15μm的砷化镓(GaAs)pHEMT工艺设计了一款毫米波低噪声放大器MMIC芯片.该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构.测试结果显示,工作频率范围覆盖26～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)频段,噪声系数在2.4～3.0 dB的水平,小信号增益在23～26 dB.