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黄光周; 周亮笛; 于继荣; 杨英杰; 郝尧;
华南理工大学电子与通信工程系;
数学模型; 等离子体刻蚀; 物理模型; 集成电路制造;
机译:等离子体刻蚀中基于修正主成分分析的等离子体刻蚀中小面积暴露SiO_2薄膜的实时终点检测
机译:使用极低功率的电感耦合等离子体刻蚀,低电阻率接触等离子体刻蚀的掺Mg GaN
机译:C掺杂的基础InGaAs / InP DHBT结构的ECR等离子体刻蚀制备f比较CH_4 / H_2 / Ar与BCl_3 / N_2等离子体刻蚀化学
机译:三种杀伤模式共存时,细胞损伤数学模型和数学模型的数学模型(反应动力学建模的应用)
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:高速飞秒激光等离子体刻蚀和氧化石墨烯的各向异性光响应还原
机译:数学模型在湍流条件下微管局部灌溉的数学模型数学模型在湍流条件下微管局部灌溉的数学模型
机译:InGaalp复合半导体系统的电感耦合等离子体和电子回旋共振等离子体刻蚀;固态和材料科学
机译:等离子体处理工具,双源等离子体刻蚀机,双源等离子体刻蚀方法以及形成平面线圈双源等离子体刻蚀机的方法
机译:等离子产生工具,双源等离子体刻蚀机,双源等离子体刻蚀方法以及形成平面线圈双源等离子体刻蚀机的方法
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