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彭英才; 王英民; 李星文; 傅广生;
河北大学电子与信息工程系;
河北大学物理系;
超晶格微结构; 超薄层; 外延; 生长机理; 半导体;
机译:选择性区域外延生长GaAs基半导体微结构的生长机理和光学性质
机译:在高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅衬底上的应变硅锗梯度薄层上纯锗外延生长
机译:高迁移率沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的体硅基板上应变硅-锗梯度薄层上的纯锗外延生长
机译:外延生长的MNAs / GaAs超晶格的金属半导体转变和磁性
机译:载流子寿命测量,用于表征超净p / p +硅外延薄层。
机译:外延Bi2Se3 / II-VI半导体超晶格中的稳健拓扑界面和电荷转移
机译:复合半导体的外延生长技术 - 晶体生长技术的前缘(2)3。通过MOCVD方法生长高均匀的薄膜
机译:通过脉冲激光烧蚀生长具有连续可变成分的外延半导体合金和超晶格。
机译:能够控制微小粒子或薄层的生长位置的微结构制造方法以及使用该微结构的半导体器件
机译:使用选择性外延生长技术和部分平坦化技术的具有薄膜晶体管的半导体集成电路的制造方法以及由此制造的半导体集成电路
机译:使用镶嵌技术和选择性外延生长技术的具有薄膜晶体管的半导体集成电路的制造方法以及由此制造的半导体集成电路
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