氩离子束辅助淀积Cu/Si薄膜相变研究

摘要

用实验的方法研究了PVD，IBAD和IBAD－PVD复合等不同方法在硅基底上镀制Cu膜的结构特点及真空退火时的结构变化。利用XRD，RBS，SEM等分析手段对比研究它们的结构变化特点，发现IBADCu（20nm）层＋PVDCu膜（350nm）的复合薄膜样品在退火前无新相生成，而退火后形成ε相，且不同于通常Cu－Si退火系统中首先生成γ相和η”相，然后再由γ和η”反应生成ε相的相序。分析认为在Cu－Si界面退火反应系统中，ε相的形核是得到稳定相结构的关键。