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薛钰芝; A.Keppel; R.Schatmann; H.Zeijlemaker; J.Verhoeven;
大连铁道学院;
荷兰FOM原子分子物理研究所;
钼-硅多层膜; 氢离子束; 混杂;
机译:衬底加热和离子束抛光对Mo / Si多层膜界面质量的影响-X射线比较研究
机译:离子束溅射沉积的W / Si多层膜:超溅射对超短时间界面结构和结构改性的影响
机译:离子束溅射沉积的Mo / Si多层膜中的界面生长机理
机译:辅助离子束界面处理对EUVL掩模坯料Mo-Si多层形成的影响
机译:用于氢传输膜的混合质子电子导体的改性和氨离子传输膜的研究。
机译:用同位素多层结构研究GeSi和SiGe中离子束诱导的原子混合
机译:mo / si和mo2C / si多层膜中的残余应力
机译:形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路
机译:形成氧化膜的方法,半导体装置,制造半导体装置的方法和装置,氧化SiC基质,SiC-MOS半导体装置和SiC-MOS集成电路的方法,利用该方法制造SiC的方法以及用于制造该装置的装置MOS集成电路
机译:SiC MOSFET的表面改性制备厚度均匀的SiC MOSFET的SiC MOSFET的制造方法。
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