氮掺杂VCD金刚石薄膜的场电子发射研究

摘要

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰ－ＣＶＤ）方法生长氮掺杂金刚石薄膜，研究发薄膜场电子发射性能。实验结果表明，不同氮源气体流量下制备的榈均呈现连续而稳定的场电子发射，但发射性能对氮源气体流量有强烈的依赖性。随着氮源气体流量由０逐渐增大到０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ，发射的开启电压从１０５０Ｖ逐渐减小为１５０Ｖ，而当氮流量超过０．５ｃｍ＾３（ＳＴＰ）／ｍｉｎ时，开启电压则不断增大，当氮流量为３．０