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谌贵辉; 张万里; 彭斌; 蒋洪川; 杨国宁;
西昌学院,物理系,四川,西昌,615022;
电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;
磁弹性薄膜; 应力阻抗; 溅射气压; 偏置场; FeCoSiB;
机译:附加磁场和气压对大功率脉冲磁控溅射溅射鞘区的影响
机译:目标频率,偏置电压和偏置频率对脉冲直流CFUBM溅射TiN涂层的组织和力学性能的影响
机译:勘误表,目标频率,偏置电压和偏置频率对脉冲直流CFUBM溅射TiN涂层的微观结构和力学性能的影响,[表面与涂层技术,(2010),204,3674-3697]
机译:溅射气压和衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO:Al薄膜光学性能的影响
机译:偏置溅射法生长铜-铬亚稳合金:基体偏置和合金组成对溶解度和形态的影响。
机译:直流磁控溅射过程中衬底偏置对VO2薄膜质量及其绝缘体-金属过渡行为的影响
机译:氩气压和偏置电压对溅射铌硫化物膜的XIS晶格晶体常数的影响
机译:创新的衬垫概念:包括偏置流影响的衬垫的实验和阻抗建模
机译:消除外部偏置磁场影响的两轴地磁场传感器
机译:半导体薄膜的RF溅射-使用极化阻抗和气压梯度来提供高沉积速率
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