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基于直流偏置磁场的最优直流偏置磁场值的确定方法

摘要

一种基于直流偏置磁场的最优直流偏置磁场值的确定方法,其步骤依次为:利用能量最小原理确定材料在直流偏置磁场中稳定状态下的磁化情况、建立单畴物理模型、采用数值计算的方法确定材料在直流偏置磁场下的稳定状态、确定器件灵敏度达到最优的直流偏置磁场大小。其有益效果是:对于不同类型材料,材料的各向异性常数K以及MD也会影响最优直流偏置磁场的选取,可通过相同方法进行分析。

著录项

  • 公开/公告号CN110749847A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201910973869.7

  • 申请日2019-10-14

  • 分类号G01R33/12(20060101);

  • 代理机构12217 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王山

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园一号

  • 入库时间 2023-12-17 06:17:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    公开

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