纳米锑掺杂氧化锡导电粉体的快速制备及表征

摘要

纳米锑掺杂氧化锡(ATO)以其灵敏度高、色浅透明、耐高温耐腐蚀、机械稳定性好等特点在气敏元件、导电抗静电领域、催化领域等得到了广泛的应用.本实验在共沉淀法的基础上采用特殊的组合添加剂,前驱体不需要干燥直接煅烧20 min就可以得到各项性能良好的ATO粉体,采用粒度分析仪、X衍射仪(XRD)、红外光谱仪、透射电镜(TEM)、微欧测量计等对最终粉体的性能进行了表征.结果表明:相比传统共沉淀法,该法具有快速、高效的特点,在合适添加剂作用下所制备的纳米ATO粉体一次粒径为55 nm,体积电阻率为75.93 Ω·cm,晶化完整,纯度高.