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郭跃伟; 段磊; 要志宏;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
5G; GaN; 功率放大器;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:mmWave GaN器件的5G功率放大器设计和建模
机译:GaN器件的功率为0.5To-2.5GHz Amp
机译:GaN基功率器件的最新进展和未来发展
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:二维电子在Al0.3Ga0.7N / GaN和Al0.3Ga0.7N / GaN / Al0.15Ga0.85N / Al0.15Ga0.85N / Al0.15Ga0.85N / GaN异质结构中的载体限制和光学性质的影响
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:由于5GS的EPS回退,在移交给已发展的分组系统(EPS)之后,可快速返回5G系统(5GS)
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:基于GaN功率器件的GaN电池充电器体系结构
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