Ni负载弯曲石墨烯表面电子结构的第一性原理研究

摘要

采用第一性原理方法研究了Ni在曲率K1=0.024、K2=0.065、K3=0.105、K4=0.146、K5=0.162和＆=0.186六种不同弯曲程度石墨烯表面的吸附情况和电子结构.研究结果如下:当曲率K4为0.146时,Ni与石墨烯体系结合能最小,此时Ni原予位于C-C键桥位,且C--C键被打断.对差分电荷和Mulliken电荷的分析发现,在负载Ni原子的弯曲石墨烯体系中,Ni失去电子给石墨烯.对体系态密度的研究发现,负载Ni原子的弯曲石墨烯体系费米能级上移,与差分电荷和Mulliken电荷分析结果一致,即石墨烯得到电子.本工作将可能影响Ni负载石墨烯体系对一些小分子,如CO、NH3、O2和NO2的敏感性.