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胡雨生;
无;
LPE; VPE; 砷化镓 ; 电子辐照 ; 缺陷能级;
机译:用深能级瞬态光谱法和少数载流子瞬态光谱法研究生长和电子辐照的n型GaN的深能级
机译:电子辐照n型4H碳化硅在室温至2000℃深能级缺陷之间的退火行为
机译:氢注入和电子辐照的n型4H碳化硅中的缺陷能级
机译:深能级瞬态光谱研究电子辐照的n型和p型4H-SiC的深能级
机译:通过分子束外延生长的电子辐照氮化铝镓中的深能级缺陷。
机译:强倾斜磁场中级联GaAs / AlGaAs量子阱结构的Landau能级系统中的子带太赫兹跃迁
机译:电子辐照的n型GaAs的缺陷产生
机译:Gaas-alGaas超晶格中缺陷的深能级瞬态光谱研究
机译:具有线性限定的栅电极能级区域和通过至少两个互连能级连接到第二类型的共享扩散区域的第一类型的共享扩散区域的集成电路器件
机译:用光反射原位测定GaAs和类似材料中费米能级的方法
机译:VPE缺陷模型
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