Ⅱ—Ⅵ族稀磁半导体Cd1—xMnxTe／Cd1—yMnyTe超晶格的光调制反 …

摘要

本文报道用分子束外延技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果，观测到１１Ｈ，２２Ｈ，３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结构进行了理论计算。