(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

肖志松; 徐飞; 张通和; 程国安; 顾岚岚

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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

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采用强流金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注入机,先将Si大束流注入热氧化SiO2/单晶硅,直接形成镶嵌在SiO2中的纳米晶Si,再小束流注入Er.Er离子在掺杂层中的浓度可达1021 cm-3量级,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3+浓度.在77 K和室温下,观察到了Er3+的1.54 μm特征发射.

著录项

来源
《光谱学与光谱分析》 |2002年第4期|538-541|共4页
作者
肖志松; 徐飞; 张通和; 程国安; 顾岚岚;
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作者单位

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;

南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京,100875;

南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;

复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;

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正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
离子注入; 铒; 纳米硅; 光致发光;

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