等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜中的N2/TMG等离子体发射光谱分析

符斯列; 王春安; 陈俊芳

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对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体(TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析.结果表明TMG在等离子体自加热条件下就发生离解,N2/TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主.发射光谱特征谱线随微波功率变化分析表明:当微波功率高于400 W时,亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加,而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少.

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来源
《光谱学与光谱分析》|2013年第4期|1108-1111|共4页
作者
符斯列; 王春安; 陈俊芳;
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作者单位

华南师范大学物理与电信工程学院,量子信息技术重点实验室,广东广州510006;

广东技术师范学院电子与信息学院,广东广州 510665;

华南师范大学物理与电信工程学院,量子信息技术重点实验室,广东广州510006;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类辐射与测量;
关键词
等离子体化学气相沉积; GaN; 等离子体发射光谱;

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