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刘艳; 曹荣幸; 李红霞; 赵琳; 韩丹; 刘洋; 郑澍; 曾祥华; 薛玉雄;
扬州大学电气与能源动力工程学院;
哈尔滨工业大学(深圳)特殊环境物质科学研究院;
静态随机存储器; 总电离剂量; 单粒子效应; 单粒子翻转; 协合效应; 仿真研究;
机译:边缘效应对SOI SRAM的单事件翻转敏感性的影响
机译:总电离剂量对纳米SRAM中低能质子单事件翻转的影响
机译:总电离剂量对130nm PD SOI SRAM单事件翻转灵敏度的影响
机译:使用0.2 / spl mu / m设计规则在SOI上制造的高级SRAM中的总剂量和单事件翻转(SEU)电阻
机译:关于环境对各种形状的单个和组装的金纳米粒子的等离子体性能的影响的单粒子研究。
机译:单次伪粒子跟踪在延时图像中获取的单伪粒子跟踪研究伤口愈合动力学研究
机译:基于Xilinx SRAM的FPGA的快速单事件翻转仿真的故障注入方法和基础设施
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较
机译:单粒子捕获设备,单粒子捕获系统和捕获单粒子的方法
机译:单粒子捕获设备,单粒子捕获系统和单粒子捕获方法
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