直拉硅单晶中微缺陷漩涡浅见

摘要

本文阐述了硅单晶中微缺陷漩涡产生的条件及形成原因，认为微缺陷陷漩涡与制备硅单晶时的热历程有关，杂质是微缺陷的成核中心，自间隙原子及杂质的络合产生微缺陷漩涡，解决方法是；建立合适的热场和工艺条件，如提高热场高度和晶速度，适当增大保护气体的流通量，达到减少微区回熔和杂质污染的目的，从而减少或消除微缺陷漩涡。