退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
游巧;
国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心;
PVT; SIC; 晶体生长;
机译:PVT法生长半绝缘SiC单晶的钒掺入的变异
机译:通过PVT法进行半绝缘SiC单晶生长的新材料
机译:PVT法生长6H-SiC块状单晶中缺陷形成的特殊性
机译:PVT法在背面开放的6H-SiC晶种上生长4H-SiC单晶
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:氧化铝-CNT / SiC纳米复合材料的制备及性能研究进展
机译:通过CF-PVT法在4H-SiC上生长的体积<111> 3C-SiC单晶的表征
机译:物理气相传输制备的4H和6H siC单晶(0001)面上的努氏硬度。
机译:PVT SiC法减短PVT减少SIC晶体中的位错
机译:制备SiC单晶的SiC SiC装置以及制备SiC单晶的方法
机译:不含面子的SiC大块单晶,SiC大块单晶和单晶SiC基体的制备方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。