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化学气相沉积; 氮化硅; 集成电路;
机译:反应溅射和等离子增强CVD低温沉积的氮化硅绝缘膜:特性比较
机译:低温下通过反应溅射和等离子增强CVD沉积的氮化硅薄膜的特性
机译:反应溅射钼硅氮化硅合金金属栅电极的物理和光电特性
机译:使用低应力反应溅射氮化硅波导的光频率梳产生
机译:用于先进CMOS技术的反应溅射钼氮化硅金属栅电极的功函数调整。
机译:孔径形状和面密度受控的基于纳米多孔氮化硅的膜:制备以及电泳和分子过滤特性
机译:通过DC反应溅射在不同基板上合成的VO2(M1)薄膜中增强的相变和红外光响应特性
机译:反应溅射Cu / sub x / s - Cds异质结的光伏特性
机译:射频支撑的磁控管对氮化硅膜的反应溅射
机译:反应溅射铬氮化硅电阻
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