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邱春文; 陈雄文; 石旺舟; 欧阳艳东;
汕头大学物理系;
上海华东师范大学物理系;
氮化硅薄膜; 射频磁控反应溅射法; 制备过程; 制备工艺; 红外吸收光谱; 基片温度; 射频功率;
机译:通过磁控反应溅射物理气相沉积产生的硅氮化硅薄膜:结构,化学和机械表征
机译:在磨料条件下,在氮化硼在氮化硼的磁控涂层表面层的形成,形成了磁控硅涂层的表面层。
机译:反应性直流磁控溅射法制备纳米结构氮化硅薄膜气体传感器
机译:反应溅射法在非化学计量氮化硅薄膜中的光致发光
机译:氮化铬和氮化铬铝外延膜,用于通过AC反应磁控溅射法生长α-氧化铝。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:反应性R.F的硅氮化钼薄膜机械和微观结构性能的相关性。磁控电流放电
机译:用于mEms应用的低应力alN压电薄膜的直流磁控反应溅射
机译:直流磁控反应溅射法
机译:磁控反应性喷涂氮化物,碳化物和碳氮化物涂层的装置
机译:产品氮化物或氧化物薄层的沉积-在等离子气体中使用氦气续续。反应或磁控阴极溅射中的氩,氧和氮
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