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Reactively sputtered chrome silicon nitride resistors

机译:反应溅射铬氮化硅电阻

摘要

A thin film having high electrical resistivity is produced on a substrate by radio frequency sputtering from a chrome/silicon source in a nitrogen/argon atmosphere.
机译:在氮/氩气氛中,通过射频溅射从铬/硅源在基板上制造具有高电阻率的薄膜。

著录项

  • 公开/公告号US4681812A

    专利类型

  • 公开/公告日1987-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INC.;

    申请/专利号US19850784987

  • 发明设计人 JAMES A. SCHUETZ;

    申请日1985-10-07

  • 分类号B32B15/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 07:08:59

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