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基于NiFe薄膜AMR效应磁阻开关芯片的研究

     
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摘要

利用磁控溅射设备在含有电路的6in.晶元上沉积惠斯通电桥形状的NiFe薄膜,对薄膜进行磁场退火处理,然后对薄膜进行后续的加工和封装,成功制备出磁阻开关芯片,经过测试获得芯片的相关电磁参数,发现其开关性能优异,温度稳定性好,静态功耗低,已经达到国外同类产品的性能.

著录项

  • 来源
    《传感器世界》 |2015年第5期|7-11|共5页
  • 作者

    余涛; 吴婷; 杨华; 陈忠志; 彭斌;

  • 作者单位

    电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

    贵州雅光电子科技股份有限公司,贵州贵阳550007;

    成都芯进电子有限公司,四川成都610036;

    电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 非金属复合材料;
  • 关键词

    NiFe; 磁阻开关芯片; 静态功耗;

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