InAs薄膜Hall器件

摘要

利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了薄膜Ｈａｌｌ器件。这种Ｈａｌｌ器件具有灵敏度高，温度特性好等优点，室温下的体积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ．ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ．ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的ＧａＡｓＨａｌｌ器件高５０％），在（２０～７０）℃温度区域内，内阻温度系数和Ｈａｌｌ电压温度系数分别为８×１０＾－４／℃，－２×１０＾－３／℃（恒流驱动）和－３×１０