首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >高线性度外延及注入GaAs Hall器件

高线性度外延及注入GaAs Hall器件

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

讨论了外延及注入制作的薄层 Ga As Hall器件如何获得高的磁线性度 .Ga As Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离 ,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿 ,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中 ,可以得到在 2 .5 T的强磁场下 ,± 0 .0 4

著录项

来源
《半导体学报》 |2002年第5期|505-508|共4页
作者
郑一阳;
展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类霍尔器件、光磁电探测器件;
关键词
Hall器件; 霍尔器件; 砷化镓; 线性度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件 [J] . 郑一阳 . 半导体学报：英文版 . 1989,第1期
2. 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件 [J] . 张立臣 ,汪韬 ,尹飞 . 激光与红外 . 2011,第008期
3. 基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器 [J] . 陈仲谋 ,张博 . 电子元件与材料 . 2022,第1期
4. GaAs工艺0.4~3GHz高线性度低噪声放大器芯片 [J] . 吕继平 ,钟丹 ,王测天 . 电子世界 . 2021,第21期
5. 大功率高线性度的电流注入探头性能分析及研制 [J] . 孙江宁 ,潘晓东 ,卢新福 . 强激光与粒子束 . 2021,第005期
6. 一种适合5G通信的宽带、高线性度氮化镓HEMT器件 [C] . 裴轶 ,徐长久 ,宋晰 . 第二届全国宽禁带半导体学术会议 . -1
7. InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用 [A] . 吕吉贺 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号