退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
王良; 郑庆瑜;
电子材料研究院;
激活能; 迁移率; 载流子浓度; 碳化硅; 掺氮;
机译:电子自旋共振研究氮掺杂6H SiC晶体中局域和离域电子的温度依赖性行为
机译:电子自旋共振研究掺氮3C SiC单晶中导电电子的温度行为
机译:取代的重氮[c]喹啉-5(6H)-one,重氮[c]异喹啉-6(5H)-one,重氮[c]萘啶-6(5H)-one和重氮[c]萘啶-5(one)的合成6H)-个
机译:卤化物化学气相沉积法生长的未掺杂6H和4H-SiC块状晶体的电学性质
机译:掺钇的氧化oxide纳米晶体薄膜的结构,光学和电学性质。
机译:通过室温μ-光致发光和μ-拉曼分析表征3C-SiC外延层截面中的4H和6H类堆积缺陷
机译:局部和离域电子的温度依赖行为 通过电子自旋共振研究氮掺杂的6H siC晶体
机译:光电子顺磁共振(photo EpR)研究在宽温度区间内的半绝缘4H,6H sic晶体中的俘获和重组过程
机译:掺钒SiC块状单晶的制备方法及掺钒SiC衬底
机译:掺钒的SiC大块单晶和掺钒的SiC基体
机译:包含掺有氮的SIC膜的过滤器
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。