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胡英; 周晓华; 徐毓龙; 赵祖军;
西安电子科技大学技术物理学院;
硅; 半导体异质结; 晶格匹配; 能带阶跃; 结构设计; 二维电子气密度; 晶体管; HEMT; Zhe化硅;
机译:具有原子层沉积电介质的未掺杂Si / Si_(1-x)Ge_x异质结构中电容诱导的高迁移率二维电子气
机译:第一性原理在Si / Si_(1-x)Ge_x异质结构和Si_(1-x)Ge_x合金中电子相关的热电性质
机译:Si / Si_(1-x)Ge_x异质结构中高迁移率二维电子系统的表观金属-绝缘体转变的观察
机译:热加工对SI_(1-X)GE_X异质结构中掺杂层结垢率的影响
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:硫族化物/ p-Si的In3-xSe4电子传输层的电子结构异质结太阳能电池
机译:si(001)上氧化物异质结构中的高密度二维电子气
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
机译:具有垂直形成的二维电子气的垂直超结III /氮化物HEMT
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