2DEG密度与Si/Si<,1-x>Ge<,x>HEMT结构设计的关系

摘要

从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si<,1-x>Ge<,x>HEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n<,s>与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件的导质结结构进行了优化改进,提高了器件2DEG的n<,s>.