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产品系列 ; FET ; UnitedSiC;
机译:各种降低的导通损耗650V耐压SIC SBD内置IGBT ROAM开始批量生产
机译:全面选择具有650V高可靠性和低开关损耗的Infineon SiC MOSFET
机译:沟槽设计对650V 4H-SIC JBS二极管电性能的影响
机译:相似度和星级产品系列:模糊关系产品的新增功能
机译:mu的新增功能:多变量控制中的结构不确定性
机译:碳星信封中SiC2的丰度:证明SiC2是SiC粉尘的气相前驱体
机译:具有650V SiC器件和优化PWM的3级ANPC光伏并网逆变器的性能评估
机译:siC / siC复合材料的辐射效应和微观力学(1990年12月1日 - 1993年11月14日)和熔融环境中siC / siC复合材料的力学行为模拟(1993年11月15日 - 1996年11月14日)。最终报告,最终报告, 1990年12月1日 - 1996年11月14日
机译:制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译:包装印刷产品系列的生产方法和包装印刷产品系列的设备组
机译:用于控制和/或调节汽油燃料的机动车的模块化系统产品系列,以及将其适应速功率特性曲线的模块系统产品系列
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