InP(100)面上AlInAs/InGaAs调制掺杂结构生长

摘要

本文叙述了在InP(100)面上外廷生长Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As调制掺杂结构,采用RHEED强度振荡、x光双晶衍射、束流计定标等手段实现了对材料组分的严格控制。HEMT器件的结果为:单位跨导g_m=200mS/min,最大截止频率43GHz。