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Robert C Taft; 党冀萍;
反型基区晶体管; 工作原理; 异质结;
机译:Gexsi1 - X / Si膜的拉曼散射表面和光谱曲线的依赖性从层厚度的变化
机译:Si(100),(110)和(111)-表面上n型金属氧化物半导体场效应晶体管的库仑散射限制的反层迁移率的实验评估:电导质量与法线相关性的影响弥撒
机译:4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管的反型层载流子浓度和迁移率
机译:n沟道垂直双载流子场效应晶体管的Si和SiGe电阻负载触发器和Si电阻负载环形振荡器的工作原理的实验验证
机译:混合n-Si /有机反型层太阳能电池的分子单层
机译:Si在GaN / AlN / Si(111)等离子体辅助分子束外延中的作用:极性和反型
机译:Si / Si1-Xgex / Si异质结双极晶体管的严重掺杂基区的带隙缩小。
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:具有双基区的横向双极结型晶体管
机译:具有基区的碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法
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