Ge_xSi_(1-x)/Si反型基区晶体管的工作原理与实验验证(Ⅱ)

摘要

7 Ge_xSi_(1-x)/Si BICFET的优化尽量提高△Ev值可最大限度地提高电流增益以及反型沟道中可限制的最大电荷密度,大的反型电荷密度可减小基极电阻并把输出导通减至最小(见(12)式)。由于△Ev随Ge_xSi_(1-x)层中x的增加而增加,所以选择仍可生长10nm宽低缺陷层的最大x值。Ge_xSi_(1-x)层需要10nm宽是因为量子力学描述中的空穴电荷分布宽度有限。最佳值是x=0.5。