低阻W/WN难熔栅技术研究

摘要

探索了新型难熔栅 W/WN工艺制备技术 ,通过 SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/Ga As特性作了分析。结果表明 ,溅射气压和 N分压对 W,WN薄膜特性有着显著影响 ,通过工艺条件的优化 ,制备的 W/WN膜厚为 36 0 nm,方块分压为 0 .5 1Ω。利用Si O2 作为退火包封层 ,780℃ 10 s快速退火后 ,W/WN能够保持好的稳定性 ,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的 Ga As MESF ET。