退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘广荣;
机译:上漂移区双步局部SOI LDMOSFET:一种提高击穿电压和输出特性的新型器件
机译:纳米级双材料栅极电介质口袋型空硅(DMGDPSOV)MOSFET的静电完整性研究,可提高器件的可扩展性
机译:双材料绝缘子SOI-LDMOSFET:一种用于改善自热效应的新型器件
机译:器件参数变化对双栅隧穿FET和双栅MOSFET的影响
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:根据器件参数分析双栅MOSFET的击穿电压
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:具有在双极器件附近形成的MOSFET的半导体器件及其制造方法
机译:半导体器件,电子电路,MOSFET,功率MOSFET器件,二极管以及形成电子器件的方法
机译:包含各种改进结构的抗辐射双栅半导体晶体管器件,包括MOSFET栅极和JFET栅极结构以及相关方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。