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章从福;
截止频率 GHz IBM 石墨烯 场效应晶体管 学术杂志 半导体厂商 制造技术 片状材料 应用可行性;
机译:带有改进的小信号等效电路的石墨烯场效应晶体管的改进截止频率模型
机译:IBM创建155 GHz石墨烯晶体管
机译:IBM,适用于大规模生产的工艺中的f_T 100GHz石墨烯FET原型
机译:基于外延石墨烯纳米带的10 GHz截止频率晶体管
机译:支持石墨烯界面的基本研究:石墨烯场效应晶体管(FET)中缺陷密度和理想石墨烯 - 硅肖丝狄克二极管
机译:亚100nm通道长度石墨烯晶体管
机译:喷墨印刷的二硫化钼和氮掺杂石墨烯有源层高开/关比晶体管
机译:20Ghz功率Gaas FET(场效应晶体管)开发。
机译:通过使石墨烯,石墨烯单电子晶体管和电子隧道石墨烯晶体管具有一个或多个弯曲变形来控制电的开/关状态的晶体管
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