瑞萨电子计划上市SiC功率半导体

吴琪乐

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正全球首屈一指的半导体解决方案厂商瑞萨电子(Renesas Electronics)计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。从2011年3月底开始样品供货耐压为600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)"RJS6005TDPP"。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产,2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年

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来源
《半导体信息》 |2011年第4期|P.4-5|共2页
作者
吴琪乐;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.24;
关键词
功率半导体 ; SiC ; 工作温度 ; 日立制作所 ; 驱动电压 ; 性能指标 ; 工作效率; 高端机型 ; 产品化 ; 三菱电机 ;

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