公开/公告号CN113422563A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江伊控动力系统有限公司;
申请/专利号CN202110623736.4
发明设计人 张超;
申请日2021-06-04
分类号H02P27/06(20060101);H02M7/5387(20070101);H02M7/00(20060101);H02M1/44(20070101);H05K7/20(20060101);
代理机构33253 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙);
代理人程开生
地址 314200 浙江省嘉兴市平湖市经济开发区新兴三路1088号
入库时间 2023-06-19 12:38:50
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法
机译: 逆变器用于转换器的功率逆变器具有相对于非换向相位与半导体元件并联布置的功率半导体,并且基于换向相位的换向条件中断并联电路