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朱筠; 李恩渊; 李海霞;
西安邮电学院;
埋栅型SIT; 栅极孔刻蚀; I—V特性; VGS;
机译:3 kV常关4H-SiC埋栅静电感应晶体管(SiC-BGSIT)
机译:通过化学干法刻蚀改善含氮氧化gate栅极的金属氧化物半导体器件的电学和表面特性
机译:掺Dy的$ hbox {HfO} _ {2} $栅氧化物n-MOS器件的栅极漏电流和电荷陷阱特性降低
机译:金属湿法刻蚀对双金属栅/ High-k CMOS器件特性和可靠性的影响
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:具有全硅化栅叠层,应变硅和多栅极架构的器件中的偏置温度不稳定性影响
机译:微波半导体研究 - 材料,器件,电路。采用埋地金属栅的Gaas弹道电子晶体管。
机译:结栅型静电感应晶闸管和使用该结栅型静电感应晶闸管的高压脉冲发生器
机译:半导体器件的晶体管包括堆叠型栅极,栅极氧化膜和浮置氮化物膜,其被掩埋在形成在半导体衬底上的栅极氧化膜与形成在浮置栅极上的栅氧化膜之间的间隙处。
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