一种应用于MCU的宽电流范围全集成LDO设计

摘要

设计了一款应用于MCU的宽电流范围全集成LDO,可以满足MCU在不同工作模式下对电源的需求。芯片采用UMC公司的0.11μm CMOS工艺设计,版图面积为0.102mm2。仿真结果表明,在低功耗模式下,LDO的静态功耗只有0.505μA;正常工作模式下,最大负载电流可以到100mA,且具有很好的瞬态响应。