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一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路

摘要

本实用新型公开了一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路,包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R1和R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路;上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6,以向误差放大器电路提供额外的偏置电流;下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5,以向误差放大器电路提供额外的偏置电流。本实用新型能够以非常低的静态电流实现全集成LDO在面对几十A/μs的负载电流切换速率时的快速响应。

著录项

  • 公开/公告号CN215642444U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN202122206684.9

  • 发明设计人 白春风;张开;

    申请日2021-09-13

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构32251 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陆金星

  • 地址 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

  • 入库时间 2022-08-23 04:12:00

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