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溅射功率对RF磁控溅射HfO2薄膜介电特性的影响

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采用射频(RF)磁控溅射法在P型(100)Si基片上沉积了HfO2薄膜,利用HP4294A测试了薄膜的介电特性.结果显示:在不同功率下制备的HfO2薄膜的漏电特性良好,介电常数最高达到24,接近于理论值25.

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来源
《科技创新导报》 |2007年第26期|21|共1页
作者
赵云清;
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作者单位

北京科技大学应用学院物理系,北京,100083;

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正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
射频磁控溅射; 介电特性; 介电常数;

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