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王坤霞; 冯仕猛; 徐华天; 田嘉彤; 杨树泉; 黄建华; 裴骏;
多晶硅; 化学刻蚀; 表面结构; 陷光效应; 反射率;
机译:在(100)硅中各向异性刻蚀的{311}晶面的形态研究:刻蚀剂的作用和刻蚀参数
机译:H_2 / O_2刻蚀等离子体处理在金刚石表面诱发的刻蚀晶面识别
机译:利用低损伤变压器耦合等离子体技术同时刻蚀不同掺杂类型的多晶硅材料
机译:通过反应离子刻蚀(RIE)在多晶硅衬底上开发微结构以提高纳米间隙的未来可再生性
机译:不同粘度水力压裂液中各种支撑剂临界回流速度的实验研究
机译:双酸刻蚀与化学修饰的亲水性双酸刻蚀植入物表面的界面生物力学特性:在Beagles中进行的实验研究
机译:GaAs刻蚀轮廓对晶面的阴极保护的证据
机译:多晶硅太阳电池随机分布纹理的反应离子刻蚀。年度报告
机译:在微缩微结构中对硅进行一般的多级多晶硅刻蚀
机译:一种通过等离子体刻蚀在多层体中生产具有不同表面特性的微结构的方法
机译:相对于沉积的氧化物,热生长的氧化物和氮化物中的至少一种选择性地刻蚀多晶硅的方法,以及相对于BPSG选择性地刻蚀多晶硅的方法
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