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曹先安; 胡海天; 丁训民; 陈溪滢; 袁泽亮; 李哲深; 侯晓远;
复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
气相淀积; 准单晶; 砷化镓; 钝化膜; 硫化镓;
机译:普通高真空下快速气相沉积在GaAs(100)表面上优先生长Al(110)膜
机译: / GaAs的MBE生长条件下GaAs(100)表面上的硫化物钝化涂层
机译:液相化学增强技术在S钝化GaAs表面上生长的GaAs氧化物层的性质
机译:具有渐变In的GaAs(100)上的InGaAs / InP和InAsP / InP量子阱 x sub> Ga 1-x sub> As或In 1-y sub> Ga y sub> P缓冲区气源分子束外延生长的碳层
机译:金属有机气相外延生长过程中In(x)Ga(1-x)N / In(y)Ga(1-y)N多量子阱结构的稳定性
机译:Cu(100)表面上石墨烯晶界的形成及其消除化学气相沉积生长的途径
机译:胚胎层AlGaAs的组合物对由气相外延(100)的气相外延生长的结构(Al)GaAs中抗磷酶结构域的形成
机译:金属有机气相外延Gaas和al(x)Ga(1-x)生长过程中控制氧结合的醇盐前体
机译:用于电化学汽相淀积的原始材料汽化器,电化学汽相淀积装置和使用该装置的固态电解膜形成方法
机译:低温多晶硅薄膜的元件及其在低温下直接淀积的多晶硅薄膜的方法及其感应耦合等离子体化学气相淀积设备
机译:钌膜的化学气相沉积化学汽相淀积及其应用
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