压接型IGBT串联自取能关键技术研究

摘要

基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联型电压源换流器具有诸多优点,而且IGBT串联应用的主要优势领域为高压柔性直流输电,故IGBT的驱动保护电路供电方式只有高电位自取能是可行的,即在压接型IGBT源漏极之间获取电能.从而可知,高电位自取能回路是影响电压均衡的重要因素之一.此处首先提出高电位自取能技术方案,其次,建立IGBT串联应用条件下的高电位自取能回路约束条件,从而确立所涉及的关键技术.最后提出高电位自取能直流变换器的设计方案,并基于此进行实验研究验证其技术的可行性.