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李平;
无;
RPECVD; 氮氧化硅; 硅源; 薄膜制备; 四氯化硅;
机译:通过远程等离子体增强CVD用SiCl4沉积的SiOxNy膜
机译:低温等离子体化学气相沉积法制备有机发光二极管封装阻挡层:SiOxNy薄膜参数优化研究
机译:使用RPECVD /氧化工艺制备的氮化物/氧化物(N / O)复合材料的1.6 nm氧化物当量栅极电介质
机译:PECVD法从SiCl4光稀释氢中低温快速生长多晶硅薄膜
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:基于SiOxNy和SiO2薄膜中嵌入的Si纳米团簇的MIS器件的电性能
机译:通过脉冲激光蒸发和Tl测量制备高纯度的高纯度薄膜,制备高纯度的薄膜,制备高纯度的薄膜,制备高纯度的薄膜,制备高纯度的薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜,薄膜等。 u3csup \ u3e2 \ u3c / sup \ u3eO \ u3csup \ u3e3 \ u3c / sup \ u3e蒸汽处理
机译:常规铬薄膜,非晶光亮铬沉积(aBCD)薄膜,N +注入aBCD薄膜的表征研究和使用丙酸作为有机添加剂制备aBCD薄膜
机译:从光学纤维或玻璃渣中萃取GeCl4和/或SiCl4的方法以及从含SiO2的材料中制备SiCl4的方法
机译:用原子层沉积法将氧化物薄膜浸入到卤化物中的卤化物掺杂源,制造卤剂掺杂物的方法,使用原子沉积法沉积到材料上的氧化物,用原子沉积法沉积的氧化膜,用原子方法沉积的薄膜用卤化物氧化薄膜
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
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