纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究

摘要

用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。